中 세계제조업대회서 5세대 양산 발표
“AI 시뮬레이션으로 R&D 효율 극대화”

“우리는 4중 노광 기술을 통해 회로 간격을 11.95나노미터까지 구현했습니다. 이는 글로벌 양산 공정의 최첨단 수준에 근접한 수치입니다.”

중국의 대표 D램 메모리 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 5세대 D램 기술 플랫폼 양산을 20일 공식 선언했다. 뤄샤오둥 CXMT 부사장 겸 마케팅총괄은 이날 안후이성 허페이 빈후국제컨벤션센터에서 열린 세계제조업대회 개막식에서 “오늘 여러분께 좋은 소식을 전하겠다”며 이같이 밝혔다.

뤄샤오둥 창신메모리테크놀로지(CXMT) 부사장 겸 마케팅총괄이 20일 중국 안후이성 허페이시 빈후국제컨벤션센터에서 열린 2026세계제조업대회 개막식에서 5세대 D램 양산을 공식 발표하고 있다. 허페이=김희원 특파원.

허페이에 본사를 둔 CXMT는 2019년 같은 행사에서 1세대 기술 플랫폼인 8Gb DDR4 메모리 칩 양산을 공식 발표한 바 있다. 이후 1세대에서 4세대까지 플랫폼 세대교체를 거쳤고 제품군도 확대해 왔다.

이날 개막식장에는 정부 관계자와 기업인, 투자자 등 약 500명의 내외빈이 참석했다. 성과 각국 대표단의 축사가 이어진 뒤 뤄 부사장이 무대에 오르자 곳곳에서 휴대전화를 꺼내 발표 화면을 촬영하는 모습이 눈에 띄었다.

CXMT는 이날 5세대 플랫폼의 핵심 공정 지표를 함께 제시했다. 뤄 부사장은 “4중 노광 기술을 통해 메모리 핵심 회로 간격을 11.95나노미터 수준까지 좁혔다”고 밝혔다.

이는 12나노급 미세화 수준에 근접했다는 뜻으로 업계에서 통상 10나노급 초반의 선단 D램 공정에 해당하는 수준으로 받아들여진다. 삼성전자와 SK하이닉스가 이미 10나노급 D램 양산 경험을 축적해온 만큼 숫자만으로 직접 비교하기는 어렵지만, 미국의 반도체 장비 제재로 EUV 노광장비 확보가 제한된 상황에서 CXMT가 다중 노광 방식으로 이 수준에 접근했다는 점은 주목할 만하다는 평가가 나온다.

중국 안후이성 허페이시 빈후국제컨벤션센터에서 20일 개막한 2026 세계제조업대회의 CXMT 부스에 이날 공식 발표된 CXMT의 5세대 D램 제품들이 전시돼 있다. 허페이=김희원 특파원

뤄 부사장은 이어 “공정 개선과 재료 혁신을 통해 데이터 저장 구조의 비율을 45대 1까지 끌어올리고, D램 공정에 맞는 금속 공정을 적용해 핵심 회로 높이를 6762나노미터까지 낮췄다”고 설명했다. 또 메모리를 저장하는 영역과 이를 제어하는 주변 회로를 모두 더 촘촘하게 설계해 저장 밀도를 높였고, 같은 조건에서 웨이퍼 1장당 생산되는 칩 수가 이전 세대 플랫폼보다 50% 이상 늘었다고도 밝혔다.

양산 제품도 함께 공개됐다. DDR5와 LPDDR5X 두 제품이다. CXMT는 5세대 플랫폼을 기반으로 한 24Gb LPDDR5X 제품의 용량이 이전 세대보다 50% 향상됐으며, 현재 정식 양산에 들어가 샤오미·화웨이 등 중국 주류 플래그십 스마트폰에 적용되고 있다고 밝혔다.

CXMT는 미국의 장비 제재 속에서도 이 같은 성과를 낸 배경으로 공정 혁신을 꼽는다. 뤄 부사장은 이날 발표에서 “D램 생산에 맞춘 AI 모델과 전 공정 디지털 트윈 시뮬레이션 기술을 도입해 연구개발 효율을 크게 높였고, 중국 장비업체들과 함께 계면 공학, 핵심 구조, 절연층, 배선 등 주요 공정에서 돌파구를 만들었다”고 설명하며 “공정 프로세스 혁신을 통해 글로벌 메모리 산업 1군에 진입할 수 있었다”고 자신감을 드러냈다.

2026세계제조업대회 관람객들이 CXMT의 5세대 D램 신제품에 관심을 보이고 있다. 허페이=김희원 특파원

오후부터 일반 관람이 시작되자 안후이성의 핵심 기술 기업들이 모인 2관에 관람객이 몰렸다. 특히 지난 7월 말 상하이 커촹반 상장 이후 시장의 주목을 받아온 CXMT 부스 앞에는 신제품 칩을 가까이 들여다보며 사진을 찍는 사람들로 붐볐다. 현장에서는 “이게 정말 5세대 제품이 맞느냐”, “이미 양산에 들어간 것이냐”는 질문이 잇따라 중국 메모리 산업을 향한 현지의 기대감을 반영했다. 

국내 업계는 신중한 시각을 유지하고 있다. CXMT가 공개한 공정 지표가 어디까지나 자사 4세대 플랫폼과 비교한 자체 개선 폭이라는 것이다. 특히 EUV 적용 수준과 공정 성숙도, 수율, 원가 경쟁력까지 감안하면 SK하이닉스와 삼성전자 등 국내 기업들과는 여전히 3~5년가량 격차가 있는 것으로 보고 있다. 그럼에도 업계 안팎에서는 중국 메모리 업체의 선단 공정 추격 속도가 예상보다 빨라지고 있다는 점은 분명해졌다는 평가가 나온다.

허페이=김희원 특파원 [e-mail]