중국 '최초의 D램', 빼돌린 삼성 기술로 만들었다

檢, 前 임원 등 3명 구속기소
현지 기업 이직 후 개발 주도

중국 반도체 기업으로 이직한 뒤 불법 유출된 국가 핵심기술을 부정 사용해 중국 최초의 18나노 D램 반도체 생산을 주도한 삼성전자 전직 임원과 연구원들이 구속 상태로 재판에 넘겨졌다.

서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 1일 삼성전자 전직 임원 양모씨, 전직 연구원 신모씨와 권모씨 등 3명을 산업기술보호법 위반 및 부정경쟁방지법 위반 혐의로 구속기소 했다.

서울 서초구 서울중앙지방검찰청. 뉴시스

양씨 등은 삼성전자에서 중국 D램 반도체회사 창신메모리반도체테크놀로지(CXMT)로 이직해 ‘2기 개발팀’ 핵심 인력으로 일하며 불법 유출된 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 부정 사용한 혐의를 받는다. CXMT에 유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술이다. CXMT는 중국 지방정부가 2조6000억원을 투자해 설립한 중국 최초의 D램 반도체회사다.

앞서 검찰은 삼성전자의 국가 핵심기술 유출 정황을 포착해 CXMT의 ‘1기 개발팀’에 참여한 삼성전자 전직 부장 김모씨와 연구원 출신 전모씨 등 2명을 구속기소했다. 검찰은 CXMT로 이직해 1기 개발실장을 맡은 김씨가 삼성전자 퇴직자 A씨로부터 D램 공정 국가 핵심기술 유출 자료를 부정 취득한 사실도 추가로 밝혀냈다.

이후 CXMT 2기 개발팀의 개발실장으로서 전체 개발을 총괄한 양씨와 공정 개발을 총괄한 신씨, 실무 총괄을 맡은 권씨가 1기 개발팀으로부터 유출 자료를 전달받아 이를 바탕으로 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공한 것으로 조사됐다.

신씨 등은 개발에 참여하는 대가로 CXMT로부터 4∼6년간 삼성전자 연봉의 3∼5배에 달하는 15억∼30억원의 높은 급여를 받은 것으로 확인됐다. 검찰에 따르면 이번 사건으로 발생한 삼성전자의 매출 감소액은 지난해 기준 5조원으로 추정되며 향후 피해 규모는 최소 수십조원까지 불어날 것으로 예상된다. 삼성전자에서 수백 단계의 공정 정보를 노트에 베껴 유출한 것으로 조사된 A씨는 현재 인터폴(국제형사경찰기구) 적색수배 중이다.

유경민 기자 [e-mail]