GTC 삼성부스 찾아 기념샷
HBM3E 납품 기대감 커져

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 미국 새너제이에서 열리는 연례 개발자 콘퍼런스 ‘GTC 2024’에 마련된 삼성전자 부스를 방문해 5세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM3E에 친필 사인을 남겼다. 황 CEO가 앞서 삼성전자의 HBM3E에 대해 긍정적으로 언급하면서 엔비디아 탑재 기대감이 커지고 있다.

21일 업계 등에 따르면 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 황 CEO가 삼성전자 부스를 방문해 부스에 있던 직원들과 함께 찍은 사진을 공유했다.

특히 부스에 전시된 12단 HBM3E 제품에 황 CEO가 남긴 사인을 찍은 사진이 눈길을 끌었다. 황 CEO는 ‘젠슨 승인(JENSEN APPROVED)’이라고 적었다. 한 부사장은 “삼성의 HBM3E에 대한 황 CEO의 개인 승인 도장을 보게 돼 기쁘다”며 “삼성 반도체와 엔비디아의 다음 행보가 기대된다”고 밝혔다.

황 CEO의 이날 ‘승인’이 구체적으로 어떤 의미인지는 즉각 알려지지 않았다. 다만 실제 12단 HBM3E가 테스트를 통과했다는 의미라기보다 삼성 HBM 제품에 대한 기대감을 나타낸 것으로 풀이된다.

황 CEO는 지난 19일(현지시간) 미디어와의 간담회에서 ‘삼성의 HBM을 사용하고 있나’라는 질문에 “아직 사용하고 있지 않다”면서도 “현재 테스트하고(qualifying) 있으며 기대가 크다”고 말했다.

삼성전자는 이번에 업계 최초로 D램 칩을 12단까지 쌓은 5세대 HBM인 HBM3E 실물을 전시했다. 24기가비트(Gb) D램 칩을 실리콘 관통 전극(TSV) 기술로 12단까지 적층해 업계 최대인 36기가바이트(GB) 용량을 구현한 제품이다. 삼성전자는 HBM3E 12단의 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 상반기 양산할 예정이다. 업계에서는 삼성 제품이 평가를 통과해 엔비디아 AI 반도체에 공급될지 주목하고 있다.

앞서 SK하이닉스는 HBM3E 8단의 엔비디아 납품을 확정 지었다. 이 제품은 엔비디아가 올해 2분기 출시할 그래픽처리장치(GPU) H200, 연말 선보일 B100 등에 탑재될 예정이다. SK하이닉스도 HBM3E 12단 제품을 GTC 2024에서 선보였으나 양산 계획은 미정이다. 한편, SK하이닉스는 내년 3월 경기 용인 반도체 클러스터에 팹(fab: 반도체 생산 시설) 1기를 착공한다. 1기 완공 시 세계 최대 규모의 3층 팹이 된다. SK하이닉스는 1기를 시작으로 오는 2046년까지 120조원 이상을 투자해 총 4기 팹을 구축할 계획이다.

이진경 기자 [e-mail]