삼성전자, 플래시 메모리 저장 원리 밝혀냈다

세계적 학술지에 논문 게재

삼성전자 반도체(DS) 부문이 세계 정상급 학술지인 ‘어드밴스드 머티리얼스’에 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 게재했다고 14일 밝혔다.

삼성전자에 따르면 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 원리를 밝히는 데 성공했다. CSE팀은 슈퍼컴퓨터와 같은 고성능 컴퓨터를 활용해 반도체의 공정 등을 시뮬레이션하는 부서다.

최근까지도 원자 수준에서 플래시 메모리의 근본적인 저장 메커니즘에 대한 논쟁과 연구가 지속됐다. 비정질 실리콘 질화물에 전자를 안정적으로 잡아 두는 것이 저장 원리인데, 구체적인 내용에 대해서는 밝혀지지 않은 상태였다.

CSE팀은 기존과 다른 방식의 접근법으로 그동안 간과한 원자 수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다. 논문은 실리콘 질화물을 이루는 원자들인 실리콘 원자(Si)와 질소 원자(N)가 결합과 구조 변화를 통해 안정화되는 원리를 바탕으로 했다.

삼성전자는 이번 연구가 향후 메모리 산업에도 긍정적인 영향을 끼칠 것으로 기대하고 있다.

삼성전자 측은 “V낸드(3차원 수직구조 낸드)의 혁신은 더 저렴한 가격에 데이터를 저장할 수 있다는 걸 의미하고, 풍부한 디지털 데이터는 인공지능이 학습할 수 있는 데이터가 많아진다는 것을 뜻한다”며 “다른 주변 기술들과 점진적인 시너지로 핵심기술의 진보를 앞당길 수 있을 것”이라고 평가했다.

이지민 기자 [e-mail]