카이스트 신소재공학과 연구팀

박병국(왼쪽부터), 정연식, 김갑진

카이스트(KAIST) 연구진이 뇌의 동작을 모방해 초고속으로 작동하는 차세대 메모리 핵심 기술을 개발했다.

카이스트는 신소재공학과 박병국·정연식 교수와 물리학과 김갑진 교수 연구팀이 고속 동작 자성메모리의 핵심 전극 소재로 활용될 수 있는 반강자성체의 자화 방향을 제어할 수 있는 소재를 개발했다고 29일 밝혔다.

반강자성체는 인접한 원자의 자기모멘트의 방향이 서로 반대 방향으로 평행한 구조를 갖는다. 외부에서 자기장을 걸었을 때 자성을 띠는 강자성체와는 달리 누설자기장이 없고 고속스위칭 특성을 가져 고효율 소자다.

연구팀은 이번 연구에서 기존의 강자성체 기반 자성 소자보다 집적도가 높고 동작 속도가 10배 이상 빠르다고 예상되는 반강자성체 기반 소자의 개발 가능성을 높였다. 또 자화의 방향을 제어하기 어려웠던 반강자성체를 전기적으로 조절할 수 있는 기술을 개발했다. 반강자성체의 자화 방향을 연속적으로 제어해 기존의 이진법을 뛰어넘는 멀티레벨 메모리 특성을 보였다.

김건호 기자 [e-mail]