SK하이닉스가 미국 내 고대역폭메모리(HBM) 생산거점이 될 인디애나주 공장 건설을 본격화한다. 2029년 미국산HBM양산을 시작하며, 연간 수십만장 규모의 생산능력을 갖출 계획이다.

미국 인디애나주 웨스트라피엣에 지어질 SK하이닉스 고대역폭메모리(HBM) 패키징 공장 조감도. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는27일(현지 시간) 오전 미 인디애나주 웨스트라피엣의 퍼듀대 할로웨이체육관에서 인공지능(AI) 메모리용 어드밴스드 패키징 생산기지 기공식을 개최했다.

2024년 4월 투자 발표 이후 2년4개월 만에 각종 인허가 절차를 거쳐 본격적인 공사 시작을 알리는 자리다.SK하이닉스가 미국 내 HBM생산시설을 건립하는 것은 처음이다.

기공식에 참석한 곽노정SK하이닉스 대표이사 사장은 인디애나 팹의HBM생산 능력이 연간 수십만장이 될 것이라고 밝혔다. 매년 이 공장에서 D램(RAM) 웨이퍼 수십만장을 토대로 후공정을 통해HBM을 만들겠다는 의미다. 현재 업계에 알려진SK하이닉스의 D램 생산량은 연600만장 규모로, 이 중 일부가HBM에 쓰인다.

곽 사장은 “인디애나 프로젝트는 미국 최초의HBM생산 거점을 구축하는 것”이라며 “메이드 인 USA HBM을 처음 공급하는 핵심 거점이자 미 반도체 공급망을 강화하고 경제·안보에 기여하는 주요 기반이 될 것”이라고 말했다.

인디애나 팹은 한국에서 생산된 D램 칩들을 묶거나 쌓아HBM을 만드는 어드밴스드 패키징(후공정)과 차세대HBM연구·개발(R&D)을 병행한다.

곽노정 SK하이닉스 CEO가 27일(현지시간) 미국 인디애나주 웨스트라피엣 퍼듀대학교에서 열린 AI 메모리 생산 기지 기공식에서 사업 전략과 비전을 발표하고 있다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 차세대인 7세대(HBM4E) HBM개발과 테스트를 위해 엔지니어링 분야에서 실력을 인정받는 미 퍼듀대학교와 합작하는R&D강화 양해각서(MOU)를 맺었다. 이를 통해 퍼듀대의 우수 인재를 유치하겠다는 계획이다.

팹이 본격 가동되면 약1000명 규모의 인력이 일하게 될 예정이다. 팹 건설·운영 인력과100여개 협력 소재·부품·장비 공급망을 고려하면 약7000명의 직·간접 일자리 창출이 기대된다고 곽 사장은 설명했다.

미국산HBM은 도널드 트럼프 행정부가 반도체 분야에서도 무역장벽을 높이려고 시도 중인 가운데, 미국 시장을 공략하는 첨병 역할을 할 것으로 기대된다.

김건호 기자 [e-mail]