SK하이닉스가 인공지능(AI) 반도체 수요 급증에 대응하기 위해 용인 반도체 클러스터 1기 팹(fab·반도체 생산공장) 완공을 위한 대규모 추가 투자를 확정하며 생산 인프라 확대에 속도를 낸다.
SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2∼6기 건설에 21조6천81억원을 투자하기로 결정했다고 공시했다.
투자 기간은 오는 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.
앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 클러스터 초기 운영에 필요한 부대시설 건설을 위해 9조4천억원을 투자하기로 결정한 바 있다.
이번 추가 투자로 1기 팹 건설에 투입되는 총 투자액은 약 31조원으로 확대됐다.
SK하이닉스는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대에 416만㎡ 규모로 조성되는 용인 반도체 클러스터 일반 산단 내 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4개를 건설할 예정이다.
또한 국내외 소부장(소재·부품·장비) 기업 50여곳과 함께 반도체 협력 단지를 구축하기로 하는 등 총 600조원 규모 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.
지난해 2월 1기 팹을 착공, 2027년 중으로 예정된 준공 시점을 앞당기기 위해 공사를 서두르고 있다.
완공 시 1기 팹은 총 2개 골조와 6개 클린룸으로 구성되며, SK하이닉스는 대규모 생산 기반을 선제적으로 확보하게 된다.
이번 투자는 AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 확산으로 구조적으로 증가하는 고성능·고집적 반도체 수요에 선제 대응하기 위한 전략적 결정으로 풀이된다.
SK하이닉스는 생산 역량을 조기에 확보해 고객이 필요로 하는 시점에 안정적으로 제품을 공급할 수 있는 체계를 구축한다는 계획이다.
SK하이닉스는 1기 팹에서 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 예정이며, 팹 완공 시점의 시장 수요에 맞춰 다른 제품 생산에도 팹을 활용할 수 있도록 준비하기로 했다.
애초 계획 대비 공장 규모를 확대하고 극자외선(EUV) 노광장비를 비롯한 첨단 장비를 도입하는 등 AI 메모리 수요의 지속 증가에 대비할 방침이다.
국가첨단전략산업법에 따라 산업단지 용적률이 기존 대비 최대 1.4배까지 완화되면서 클린룸 면적도 확대됐다.
생산 준비도 당초 계획보다 앞당겨지고 있다. 효율적인 공정 관리을 통해 클린룸 오픈 시점은 기존 2027년 5월에서 2027년 2월로 약 3개월 앞당겨질 것으로 예상된다.
이를 통해 SK하이닉스는 증가하는 글로벌 고객 수요에 보다 빠르게 대응하고 안정적인 공급 기반을 확보할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
용인 클러스터는 단계적 투자를 통해 글로벌 AI 반도체 생산 거점으로 성장할 전망이다.
SK하이닉스는 "본격적인 AI 시대 개막과 함께 첨단 반도체에 대한 수요가 빠르게 확대되고 있는 글로벌 시장에서 대규모 생산 능력 확보와 안정적인 공급 체계 구축은 무엇보다 중요한 요소"라며 "용인 반도체 클러스터는 대한민국 반도체 산업의 미래 경쟁력을 좌우할 전략 거점으로 자리매김할 것"이라고 강조했다.
<연합>연합>
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