SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 ‘하이(High) NA EUV' 장비를  경기 이천 M16팹에 반입하고 기념 행사를 진행했다고 3일 밝혔다.

하이 NA EUV 장비는 차세대 노광 장비로, 현존 장비 중 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능하다. 반도체 선폭이 좁아지면 같은 공간에 더 많은 칩을 집적해 생산성이 향상되고, 소비 전력과 성능을 개선할 수 있다.

SK하이닉스 이천 M16팹 전경. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대 D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해 왔다. 하지만 미래 반도체 시장에서 요구될 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술 장비가 필요했다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로 하이 NA EUV 최초의 양산용 모델이다. 기존 EUV 대비 40% 향상된 광학 기술로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 이 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 방침이다. 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 하겠다는 구상이다.

차선용 SK하이닉스 미래기술연구원장 부사장이 ‘하이 NA EUV’ 장비 도입 기념 행사에서 축사를 하고 있다. SK하이닉스 제공

SK하이닉스는 “치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다”며 “파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 한층 더 강화해 나가겠다”고 밝혔다.

김병찬 ASML코리아 사장은 “하이 NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라고, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO)는 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

이동수 기자 [e-mail]