삼성전자, EUV 14나노 D램 양산 돌입

EUV 멀티레이어로 미세공정 우위 확보
기존 대비 생산성·소비전력 20% 개선
2배 빠른 DDR5에 우선 적용 “시장 선점”

삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단 14나노미터(㎚·10억분의 1) D램(사진) 양산에 들어간다고 12일 밝혔다. 삼성전자는 미세공정의 한계를 돌파하기 위해 지난해 3월 업계 최초로 D램 생산에 EUV 공정을 적용했고, 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정도 적용하며 미세공정 경쟁을 선도하고 있다. 삼성전자는 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상해 14나노 이하 D램 미세공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나간다는 계획이다.

이날 삼성전자에 따르면 이번에 양산 계획을 밝힌 D램은 업계에서 ‘10나노급 4세대(1a) D램’으로 불리는 제품이다. 삼성은 자사의 미세공정 기술력을 강조하기 위해 ‘14나노’라고 구체적인 선폭을 공개했다.

총 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도를 통해 이전 세대(1z) 대비 생산성을 약 20% 개선했다. 이는 웨이퍼 한 장에서 얻을 수 있는 D램 수량이 약 20% 증가한다는 의미다. 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정(1z, 15㎚) 대비 약 20% 개선됐다.

삼성전자는 이번 신규 공정을 최신 DDR5 D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 데이터센터와 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장에서 수요가 커지고 있다.

삼성전자는 업계 최소 선폭인 14나노 공정과 높은 성숙도의 EUV 공정 기술력을 기반으로 DDR5 D램 대중화를 선도하겠다고 강조했다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장은 “고용량, 고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 말했다.

나기천 기자 [e-mail]