경희대는 응용물리학과 최석호(사진) 교수 연구팀이 화학기상증착법(CVD)과 화학적 도핑법을 이용해 세계 최초로 ‘올(All) 그래핀 수직형 다이오드’를 개발했다고 26일 밝혔다.
연구팀은 전자가 빠르게 이동할 수 있어 전도성이 매우 좋고 강도 등 물리적 성질도 뛰어나 ’꿈의 신소재’로 불리는 그래핀을 실용화하기 위한 핵심기술인 ‘그래핀 p-n 접합 다이오드’ 개발에 성공했다.
연구팀은 그래핀을 p-n 접합할 때 도핑물질에 의해 중간층이 형성돼 터널링 다이오드가 되는 것을 알아냈다. 또 그래핀 p-n 다이오드가 기존의 그래핀 소자보다 구조와 성능이 우수해 실용소자로서의 가능성이 크다는 사실을 입증했다고 설명했다.
연구팀의 이런 성과를 담은 논문 ‘그래핀 p-n 수직형 터널링 다이오드’는 21일 나노 분야 국제학술지인 ‘ACS Nano’ 인터넷판에 실렸다.
김예진 기자
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