코엑스 ‘SEDEX 2026’ 참가

2030년까지 AI 시장 20배 확대 전망
삼성, LPDDR·PIM 메모리 공개
SK, 성능 높인 3D 적층 D램 선봬
中 추격 본격화 속 시장 선점 박차

창신메모리(CXMT)와 양쯔메모리(YMTC)를 필두로 한 중국 반도체 업체의 추격이 본격화한 가운데 삼성전자와 SK하이닉스가 나란히 인공지능(AI) 메모리 반도체 기술력을 과시했다. 2030년까지 약 20배 확대될 것으로 예상되는 AI 인프라 시장을 선점해 반도체 패권을 공고히 하겠다는 의지를 드러냈다.

삼성전자와 SK하이닉스는 14일 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에 참가해 차세대 AI 반도체 기술과 제품을 선보였다. 서울 삼성동 코엑스에서 16일까지 열리는 반도체 대전은 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 반도체 전시행사다.

삼전닉스 차세대 기술 총출동… ‘SEDEX 2026’ 16일까지 열려 창신메모리(CXMT)와 양쯔메모리(YMTC)를 필두로 한 중국 반도체 업체의 추격이 본격화한 가운데 삼성전자와 SK하이닉스가 14일 ‘제28회 반도체대전(SEDEX 2026)’에 참가해 차세대 AI 반도체 기술과 제품을 선보였다. 서울 삼성동 코엑스에서 16일까지 열리는 반도체 대전은 한국반도체산업협회가 주최하는 국내 최대 반도체 전시행사다. 관람객들이 SK하이닉스 부스에서 인공지능(AI) 서버 및 데이터센터 환경에 최적화된 기업용 SSD(반도체 드라이브)를 살펴보고 있다. 이재문 기자

삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 시스템LSI(설계), 첨단 패키징을 아우르는 반도체 기술 역량을 소개했다. 메모리 분야에서는 차세대 고대역폭 메모리(HBM)인 HBM4E(7세대)와 메모리 내부에 연산 기능을 통합한 LPDDR-PIM 등을 공개했다. 연산 장치와 저장 장치 사이의 물리적 거리를 줄이는 3차원(3D) 반도체 제조 기술 ‘zHBM’과 엣지 AI(기기가 자체적으로 AI를 구동하는 제품)에 최적화된 3D 낸드 플래시 제품 ‘zNAND-O’의 모형도 전시했다.

SK하이닉스는 HBM4E, 고대역폭낸드플래시(HBF), 서버·PC·모바일용 D램과 낸드, SSD 등 AI 반도체 제품을 대거 선보였다. SK하이닉스는 현재 기존 HBM의 성능을 고도화하는 동시에 3D 적층 D램과 HBF를 포함한 차세대 메모리 기술 개발을 추진하고 있다. 3D 적층 D램은 그래픽처리장치(GPU)·신경망처리장치(NPU) 위에 D램을 쌓아 성능을 높이고 에너지 소모를 줄인 기술이다. HBF는 D램을 쌓아올려 만든 HBM의 기술을 낸드플래시에 적용한 제품이다. 낸드플래시를 쌓아올려 성능을 극대화한 제품이다.

이번 행사는 CXMT의 차세대 서버용 메모리 개발 소식이 알려진 직후 개최됐다. 국내 반도체 업체의 기술력을 확인하기 위해 많은 인파가 몰렸다. 하정우 국가AI전략위원회 부위원장이 직접 행사장을 찾기도 했다. 하 부위원장은 “앞으로 AI와 반도체를 연결해 어떻게 발전할 수 있을지 로드맵을 확인할 수 있었다”고 했다.

반진욱 기자 [e-mail]