삼성전자가 고대역폭 메모리(HBM) 시장 주도권 확보를 위해 차세대 HBM5에 최선단 2나노 공정을 적용하겠다는 구상을 공개했다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장은 27일 자사 반도체 뉴스룸 인터뷰에서 “HBM5는 HBM4E보다 동작 속도를 약 50% 이상 향상해야 할 것으로 예상된다”며 “베이스 다이에는 동작 속도는 물론 전력 효율 관점에서도 큰 폭의 개선을 이끌어낼 수 있는 최선단 공정을 준비하고 있다”고 말했다. 삼성전자는 HBM 생산에 파운드리 공정을 적용, HBM과 CPU, GPU를 이어주는 핵심 부품 ‘베이스 다이’를 만들고 있다.

구자흠 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실장 부사장. 삼성전자 뉴스룸 제공

구 실장은 “HBM5의 베이스 다이는 게이트올어라운드(GAA) 구조를 사용하는 2나노 공정을 적용하고 더욱 높은 집적도의 TSV(실리콘 관통 전극)를 구현할 예정”이라고 밝혔다.

또한 종합 반도체 회사로서 HBM 구현의 장점에 대해 “삼성전자 HBM은 설계, 제조, 패키징을 모두 삼성전자가 하는 턴키 설루션 제품”이라며 “설계부터 최적화에 유리하고 양산 제품 완성 시간도 단축할 수 있다. 비용 관점에서도 매우 유리하다”고 강조했다.

구 실장은 삼성전자 파운드리의 선단 공정 경쟁력에 대해 “세계 최초 GAA 공정을 적용한 3나노 공정 양산에 이어, 작년 하반기에는 2나노 1세대 공정 양산을 시작했다”며 “올해 하반기에는 수율과 성능을 개선한 2나노 2세대 공정 기반의 모바일향 신제품 양산을 시작할 예정”이라고 말했다.

이에 따라 모바일 고객사뿐만 아니라 테슬라와 다수의 AI·고성능컴퓨팅(HPC)·클라우드서비스제공사(CSP) 등 대형 고객사 수주가 잇따르고 있다고 전했다.

구 실장은 “4나노 공정도 다년간의 양산 경험과 개선을 통해 안정적 수율과 성능 경쟁력을 확보했다”며 “삼성 파운드리는 앞으로도 선단 공정의 탄탄한 기술 경쟁력을 바탕으로 시장 점유율을 지속 확대해 나갈 계획”이라고 말했다.

반진욱 기자 [e-mail]