첫 엔지니어링 런에서 평균 수율 80% 기록

루트세미콘과 SK파워텍이 공동 개발한 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체가 첫 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 기록했다.

전력반도체 설계 전문기업 루트세미콘과 SiC 전력반도체 전문 제조기업 SK파워텍은 공동 개발한 1200V 11mΩ 대면적 SiC MOSFET이 첫 엔지니어링 런(Engineering Run)에서 평균 수율 80%를 달성했다고 밝혔다.

양사는 지난 4월 SiC MOSFET 파운드리 제품 개발 계약을 체결한 뒤 개발에 착수했으며, 5월 첫 Tape Out을 진행하고 6월 29일 Fab Out을 완료했다. 이후 진행된 첫 엔지니어링 런에서 평균 수율 80%를 확보했다고 밝혔다.

SiC MOSFET은 전기차와 신재생에너지, 산업용 전력변환 장치 등 고효율 전력 시스템의 핵심 부품으로 활용되는 전력반도체다. 특히 고전압 및 대면적 제품은 제조 공정의 난도가 높아 초기 개발 단계에서 수율 확보가 중요하다는 설명이다. 양사는 이번 결과가 설계 기술과 제조 공정의 안정성을 확인하는 계기가 됐다고 설명했다.

루트세미콘은 이번 성과를 계기로 해외 파운드리에 의존했던 생산 체계를 국내로 이전할 수 있는 기반을 마련했다고 밝혔다. 이를 통해 공급망 안정성을 높이는 동시에 생산 리드타임 단축과 원가 경쟁력 확보도 기대한다는 설명이다.

SK파워텍 역시 SiC 파운드리 기술력을 바탕으로 국내 전력반도체 제조 생태계에서의 역할을 확대한다는 계획이다. 양사는 향후 자동차용 EV 충전기 시장을 비롯한 Auto용 SiC 전력반도체 분야에서 협력을 이어가며 양산 체계를 구축할 계획이다.

장근호 루트세미콘 대표는 “첫 개발 단계에서 80% 수율을 확보한 것은 양사의 기술력이 결합한 결과”라며 “국내 생산 기반을 강화해 SiC 전력반도체 국산화와 글로벌 시장 진출을 동시에 추진하겠다”고 말했다.

이동재 SK파워텍 대표는 “이번 프로젝트는 국내 SiC 파운드리 역량을 확인한 사례”라며 “양산 이후에도 안정적인 품질과 공급을 통해 고객사를 지원하겠다”고 말했다.

김정환 기자 [e-mail]