HBM5에는 2나노 파운드리 공정 적용 예정…추론 전용 '그록' 칩은 평택서 생산

삼성전자가 올해 인공지능(AI) 데이터센터에 탑재되는 고대역폭메모리(HBM) 생산량을 지난해 대비 3배 이상 늘릴 방침이다.

황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장은 16일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이에서 개막한 엔비디아의 연례 개발자회의 'GTC 2026'의 삼성전자 전시장에서 기자들과 만나 "가파르게 램프업(증산)을 하고 있고 (생산에) 크게 문제는 없다"고 밝혔다.

젠슨 황 엔디비아 CEO가 16일(현지 시간) 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026 삼성전자 부스를 방문해 기념촬영 하고 있다. 왼쪽부터 황상준 삼성전자 메모리개발담당 부사장, 황 CEO, 한진만 삼성전자 파운드리 사업부장 사장. 제품은 왼쪽부터 삼성전자 HBM4 코어다이 웨이퍼와 그록(Groq) LPU 파운드리 4나노 웨이퍼. 각 웨이퍼에는 'AMAZING HBM4'와 'Groq Super FAST'라는 젠슨 황 CEO의 친필 서명이 적혀 있다.

황 부사장은 이어 "전체 HBM에서 HBM4를 절반 이상 가져가는 것이 목표"라며 "공급이 약간 부족한 상황이면 프리미엄 제품으로 공급을 집중하는 것이 전체 산업 측면에서 좋다"고 예고했다.

그는 세계적인 메모리 공급 부족 사태와 관련해 전략적으로 공급해야 하는 파트너와 양산 제품을 공급해야 하는 파트너 등을 고려해 공급 물량을 맞출 수밖에 없다고 설명했다

차세대 제품의 공정도 예고했다. 황 부사장은 현재 양산을 시작한 6세대 HBM4와 후속 제품인 7세대 HBM4E의 '베이스 다이'(HBM 맨 아래 탑재되는 핵심 부품)는 같은 4나노 공정이지만, 후속작인 HBM5·5E는 삼성 파운드리의 2나노 공정으로 개발할 예정이라고 밝혔다.

그는 HBM5·5E에 쓰이는 적층용 칩 '코어 다이'는 10나노급 1c(6세대), 1d(7세대)를 쓰게 된다면서 "원가 부담은 있지만 HBM이 지향하는 제품과 개념을 맞추려면 선단 공정 활용이 불가피하다"고 설명했다.

삼성전자는 핵심 고객사인 엔비디아가 매년 새로운 AI 칩을 내놓는 주기에 맞춰 HBM도 1년 주기 출시를 목표로 삼고 있다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 "삼성에 감사한다"고 언급한 추론 전용 칩 '그록(Groq)3'는 평택 캠퍼스에서 생산한다고 황 부사장은 설명했다.

그는 그록3를 올해 3분기 말에서 4분기 초에 양산을 시작하는 것을 목표로 하고 있으며, 이미 예상보다 많은 주문이 들어왔다고 밝혔다.

황 부사장은 그록이 엔비디아와 라이선스 계약을 맺기 이전에도 삼성 파운드리의 고객이었다는 사실도 전했다.

그록이 엔비디아와 계약을 맺으면서 삼성 파운드리와의 관계가 끊어질 것을 우려했으나, 엔비디아도 제품에 만족해 생산 체제를 유지하기로 했다는 것이다.

그록3 칩은 칩 하나의 면적이 700㎟가 넘는 대형 다이로, 웨이퍼 한 장에서 64개만 생산할 수 있다.

일반적으로 웨이퍼 한 장당 칩을 400∼600개 생산할 수 있는 것과 견주면 차이가 크다.

칩 내부는 70∼80% S램으로 채워져 있어 외부 HBM에 의존하지 않고 칩 자체에서 빠르게 추론을 할 수 있는 구조다.

<연합>