차세대 저전력 AI 칩 기술 확장

삼성전자 연구진이 자기저항메모리(MRAM)를 기반으로 한 인-메모리 컴퓨팅을 세계 최초로 구현했다. 연구 결과는 세계적인 학술지 ‘네이처’에 게재됐다. 13일 삼성전자에 따르면 인-메모리 컴퓨팅은 메모리 내에서 데이터의 저장뿐 아니라 연산까지 수행하는 최첨단 칩 기술이다. 기존 기술보다 전력 소모가 현저히 낮아 차세대 저전력 인공지능(AI) 칩을 만드는 기술로 주목받고 있다.
이번 연구는 시스템반도체 공정과 접목해 대량생산이 가능한 MRAM을 세계 최초로 인-메모리 컴퓨팅으로 구현하고, 차세대 저전력 AI 칩 기술의 지평을 확장했다는 데 의미가 있다. MRAM은 데이터 안정성이 높고 속도가 빠르지만 인-메모리 컴퓨팅 측면에서 전력 이점이 크지 않다는 한계가 있었다. 연구진은 새로운 개념인 ‘저항 합산’ 방식을 통해 저전력 설계에 성공했다.
이번 연구는 정승철 삼성전자 종합기술원 전문연구원이 제1저자로, 함돈희 종합기술원 펠로 및 하버드대학교 교수와 김상준 종합기술원 마스터가 공동 교신저자로 참여했다.
남혜정 기자 hjnam@segye.com
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