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中 반도체 이 정도였나…미래에셋 “미세공정 제약, 구조 혁신으로 넘어”

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구윤모 기자 iamkym@segye.com

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미래에셋증권, 中 반도체 산업 ‘비중확대’ 제시
“구조 혁신 수혜, 장비 밸류체인 전반으로 확대”

중국발 반도체 충격으로 삼성전자·SK하이닉스 주가가 크게 흔들리며 코스피가 폭락한 가운데 국내 증권가에서도 중국 반도체 산업에 대한 긍정적인 투자 전망이 나오고 있다. 미세공정 기술이 해외에서 점차 인정을 받고 있다는 점에 주목해야 한다는 것이다.

 

강민희 미래에셋증권 연구원은 14일 보고서에서 중국 반도체 산업과 관련해 세 가지 사례를 들어 “점차 시그널이 강력해지고 있다”고 밝혔다.

5거래일 연속 하락을 기록했던 코스피가 장 초반 상승세를 보인 14일 오전 서울 중구 하나은행 본점 딜링룸 현황판에 전장대비 32.41포인트(0.54%) 상승한 6,067.76을 나타내고 있다. 뉴스1
5거래일 연속 하락을 기록했던 코스피가 장 초반 상승세를 보인 14일 오전 서울 중구 하나은행 본점 딜링룸 현황판에 전장대비 32.41포인트(0.54%) 상승한 6,067.76을 나타내고 있다. 뉴스1

강 연구원은 지난 5일 화웨이가 퀄컴과 5G, 인공지능(AI) 등을 포괄하는 크로스 라이선스 계약을 체결한 것과 관련해 “양사의 계약 자체에서 중국 반도체 기술이 해외에서 가치를 인정받기 시작했다는 점이 고무적이라고 판단한다”고 했다.

 

강 연구원은 지난달 마이크론 제품이 양쯔메모리(YMTC)의 3D 낸드 계단 구조와 워드라인 콘택트 관련 실용신안을 침해했다고 판단해 독일 뮌헨 지방법원이 판매금지 명령 2건을 내린 사안에도 주목했다.

 

그는 “두 구조는 적층 단수가 높아질수록 공정 난도가 커지는 영역”이라며 “고적층 경쟁의 핵심 구조에서 YMTC의 특허가 경쟁사 제품의 제약 가능성을 확인한 판결”이라고 설명했다.

 

세 번째 시그널로는 지난 10일 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 수직 트랜지스터와 하이브리드 본딩을 적용한 4F²(포에프스퀘어) D램의 연구개발 진전을 공개한 것을 꼽았다. 4F²는 셀 면적을 6F² 대비 33% 줄이는 구조로, 셀 웨이퍼와 주변회로 웨이퍼를 접합하는 공정이 D램 생산에 추가된다. 양산 검증은 2027~2028년이 될 전망이나, 극자외선(EUV) 노광장비 부재로 격차가 누적되던 6F² 미세화와 달리 셀 구조가 바뀌는 4F² 전환기에 CXMT가 경쟁 업체와의 출발선 차이를 좁혔다는 게 강 연구원의 판단이다.

 

강 연구원은 “세 가지의 시그널이 가리키는 방향은 중국 반도체가 미세공정 제약을 구조 혁신으로 넘어서고, 그 성과를 해외 특허 분쟁과 라이선스 계약에서 인정받기 시작했다는 점”이라며 “구조 전환이 진행될수록 셀 형성과 웨이퍼 본딩 도입으로 공정 스텝과 장비 구성이 재편되는 만큼, 수혜 범위는 메모리 업체에서 장비 밸류체인(가치사슬) 전반으로 확대될 것”이라고 전망했다.

 

그는 중국 반도체 산업에 대한 ‘비중확대’ 의견을 유지하며 북방화창(NAURA), CXMT를 ‘톱픽’으로 꼽았다. 관심종목으로는  파이오텍(Piotech), 화하이칭커, 징즈다테크를 제시했다.


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