삼성전자 출신 임원·연구원 등
세계 최초로 개발한 D램 기술
불법확보해 제품 양산한 혐의
위장회사 입사 등 수사 혼선도

국가핵심기술을 유출해 최소 수십조원의 피해를 입힌 중국 창신메모리 관계자 10명을 검찰이 무더기로 재판에 넘겼다. 이들이 유출한 기술은 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 공정기술로, 중국 창신메모리는 이 정보를 이용해 세계 4번째로 10나노대 D램 양산에 성공한 것으로 나타났다. 삼성전자 핵심 연구원은 사측의 눈을 피하기 위해 D램 공정기술의 핵심 정보 600가지를 임직원 업무 수첩에 수기로 적어 외부로 유출하는 등 치밀한 모습을 보인 것으로 조사됐다.

김윤용 서울중앙지방검찰청 정보기술범죄수사부 부장검사가 23일 서울 서초구 서울고등검찰청 기자실에서 세계 1위 K반도체 국가핵심기술 국외 유출사건 수사결과 발표를 하고 있다. 서울중앙지검 정보기술범죄수사부는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 국가핵심기술을 유출(산업기술보호법 위반) 혐의를 받는 CXMT 직원 5명을 불구속 기소했다. 뉴시스

23일 법조계에 따르면 서울중앙지검은 올해 9월부터 이날까지 삼성전자 임원 출신의 중국 창신메모리 개발실장 등 핵심 개발인력 5명을 구속기소하고, 파트별 개발책임자 등 5명을 불구속기소했다. 이들은 삼성전자의 핵심기술이자 영업비밀인 D램 공정정보를 불법 취득하고, 부정 취득한 정보를 이용해 D램 개발에 부정 사용한 혐의(산업기술보호법·부정경쟁방지법 위반) 등을 받는다.

검찰에 따르면 창신메모리는 2016년 5월 설립된 직후 당시 세계 최초이자 유일하게 10나노대 D램 양산에 성공한 삼성전자의 핵심인력을 영입한 뒤 기술 확보계획을 수립했다. 삼성전자 부장 출신 중국 창신메모리 1기 개발실장 A씨와 투자담당인 B씨 등은 같은 해 9월 삼성전자에서 창신메모리로 이직한 핵심연구원 C씨를 통해 D램 공정정보를 불법 취득한 것으로 파악됐다.

검찰은 D램 공정정보를 자필로 적은 수첩의 필적 감정을 통해 유출자를 C씨로 특정했다. 검찰 관계자는 “기술유출 사건에서 통상적으로 한글·워드파일에 (기술을) 베끼거나 집에서 원격으로 접속해 카메라로 찍는 것과 달리 600가지 공정을 12쪽의 종이에 손으로 적었다”면서 “(퇴사하기) 나흘 전부터 치밀하게 적은 것으로 보아 퇴사 전부터 창신메모리와 모종의 협의가 있었던 것으로 의심된다”고 말했다.

중국 창신메모리테크놀로지가 개발한 저전력(Low Power) D램인 'LPDDR5'. CXMT 홈페이지 캡처

이들은 창신메모리 중국 지사가 세운 비료회사에 위장 취업하거나, 인근 도시를 경유해 입국하는 방식 등으로 수사망을 피하기도 했다. 하트 4개 등 암호를 사용해 공범들에게 체포된 사실을 알리라는 등의 행동 지침을 문서화해 공유하는 등 수사에도 철저히 대비했다.

창신메모리는 SK하이닉스의 국가 핵심기술까지 추가로 확보했고, 중국 설비에 맞도록 기술을 수정해 2023년 중국 최초로 10나노대 D램 양산에 성공했다. 검찰은 이들의 범행으로 인한 피해액이 최소 수십조원에 달할 것으로 보고 있다. 검찰은 이들이 창신메모리로 넘어가며 받은 연봉 상승분 등을 범죄 수익으로 특정해 몰수추징 등 범죄수익환수 절차를 밟을 계획이다.

유경민 기자 [e-mail]