삼성전자, 내달 25일 IOT 주도할 MRAM 신제품 발표

산타 클라라에 개최되는 파운드리포럼에서

삼성전자가 모바일에 특화된 자성메모리(MRAM: Magnetic Random Access Memory) 차세대 제품을 5월 24일 미국 캘리포니아 산타 클라라에서 열리는 파운드리포럼에서 발표한다.

MRAM은 전기충전 방식으로 정보를 저장하는 DRAM과 달리 '자기저항효과'를 이용해 정보를 저장한다. 현재의 낸드 플래시 메모리방식에 비해 읽고 쓰는 속도가 1000배나 빠른 메모리로 비휘발성·절전·소형의 특성을 갖고 있어 기존 플래시메모리를 완전 대체할 가능성이 큰 것으로 전문가들은 보고 있다. 특히 엠베디드 4차 산업혁명의 주된 역할을 하게 될 사물인터넷(IoT) 메모리 시장을 주도할 것으로 기대를 모은다.

삼성전자가 내놓을 제품은 파운드리에서 활용되는 것은 물론 저전력에 소형인 만큼 스파트폰과 태블릿과 같은 모바일기기에 사용될 것으로 관계자들은 보고 있다. 이를 통해 배터리 수명을 길게 할 수 있고 기기성능을 높일 수 있기 때문이다.

더욱이 삼성전자의 MRAM 용량이 충분할 경우 기존 DRAM시장도 상당 부분 대체할 수 있을 것으로 보고 있다.

특히 삼성전자가 MRAM에 주력하고 있는 이유는 MRAM의 또다른 개발컨소시엄인 SK하이닉스와 일본 도시바와의 관계 때문이다.

삼성전자는 MRAM 생산을 본격화함으로써 경쟁업체인 SK하이닉스와 도시바 연합을 앞지르는 것은 물론 낸드분야 세계 1위를 달리는 도시바의 시장도 잠식하겠다는 전략으로 보인다.

현재 SK하이닉스가 도시바 반도체부문 인수에 적극 나서고 있는 것도 낸드메모리만이 아니라 MRAM사업도 중요하기 때문이라는 관측도 나온다.

한편 삼성전자는 미국 NXP와 최근 삼성전자와 28나노 완전 공핍형 실리콘 온 인슐레이터(FD-SOI) 개발 양산에 관한 파운드리 계약을 체결했는데 내년에 공급하는 물량에 임베디드 메모리 기술이 채용될 전망이다.

임정빈 기자 [e-mail]

<세계파이낸스>