삼성·하이닉스, 메모리분야 세계 1위 ‘쌍끌이’
반도체 경기회복에 美·日 등 주도권 탈환 시동
공격적 투자로 맞대응… ‘비메모리’ 강화는 숙제
한국은 명실상부한 메모리반도체 세계 1위 국가다. 한국은 지난해 전 세계 메모리반도체 시장에 197억달러어치의 메모리반도체를 판매해 절반에 가까운 46.4%의 점유율을 차지했다. 2위인 일본은 한국의 절반에도 못미치는 21.3%(90억달러)의 점유율을 기록했다. 한국은 메모리반도체 가운데 먼저 D램 부문에서 1998년 세계 1위 자리에 오른 데 이어 2000년부터 전체 메모리반도체 부문에서 세계 정상에 올라 11년째 부동의 1위 자리를 고수하고 있다.


![]() |
◇40나노급 4Gb DDR3 |
전체 반도체 업계 1위인 인텔도 메모리사업에 속도를 내고 있다. 인텔은 마이크론과 손잡고 20나노급 낸드플래시 기술을 세계 최초로 공개했다. 하이닉스 역시 20나노급 기술개발을 완료하고 하반기 생산을 계획하고 있다. 삼성전자도 상반기 중 20나노급 양산에 돌입할 계획이지만, 공정개발 격차가 크게 줄면서 국내업체들의 경쟁력은 줄어들게 됐다.
장성원 삼성경제연구소 수석연구원은 “올해 글로벌 반도체 시장의 경쟁이 한층 더 치열해질 것”이라며 “고부가가치 제품과 고객 특화형 제품을 개발해 우리 업체들의 반도체시장 지배력을 지속적으로 확대해야 할 것”이라고 말했다.
![]() |
◇최근 삼성전자 기흥 반도체 사업장에서 연구원들이 반도체 생산 공정을 살펴보고 있다. 삼성전자 제공 |
삼성전자는 지난 1월29일 전년도 실적 발표 자리에서 “올해도 D램의 경우 DDR3 제품의 우수한 제품력과 40나노급 공정 조기 전환을 통해 절대적 경쟁력 우위를 더욱 강화할 방침”이라며 “낸드플래시는 30나노급 고용량 제품을 주축으로 movi낸드, SSD 등 차별화 제품의 전략적 운용을 통해 경쟁 우위를 확대해 나갈 것”이라고 밝혔다.
하이닉스는 “D램의 경우 해외 경쟁사들이 현재 60나노 또는 70나노급을 주력으로 제품을 생산하고 있는 반면 우리 업체들은 40나노급 양산을 시작해, 그 기술격차가 1년6개월 이상 될 것으로 보인다”며 “앞으로도 한국업체들이 기술경쟁력을 기반으로 후발 업체들을 따돌리고 시장을 선도할 수 있을 것으로 기대된다”고 밝혔다.
하이닉스는 또 “낸드플래시의 경우에도 2004년 시장에 진출한 후발 업체로서 시장 진입 3년 만에 점유율 3위에 진입하는 등 사업 경쟁력을 빠르게 강화해 왔다”며 “최근 20나노급 제품 개발에 성공함으로써 선두업체와의 격차를 줄여나가기 위해 노력하고 있다”고 강조했다.
◆한국 반도체산업의 과제=지난해 전 세계 메모리반도체시장에서 한국의 시장점유율은 46.4%이지만, 시장이 4배나 큰 비메모리반도체 분야는 2.1%로 대단히 취약한 상황이다. 지난 10년간 정부와 업계가 손을 맞잡고 대규모 연구개발 투자를 통해서 비메모리반도체 분야의 성장을 위한 기초적인 토대를 마련하였지만, 아직도 ‘갈길이 멀다’는 것이 업계의 평가다.
한국반도체산업협회 양준철 부회장은 “내년부터는 시스템반도체의 성장·발전을 위한 새로운 연구·개발(R&D) 계획을 수립해 비메모리 분야도 획기적으로 발전시켜 메모리와 비메모리 간 균형발전을 도모할 계획”이라고 밝혔다.
홍성일 기자
[ⓒ 세계일보 & Segye.com, 무단전재 및 재배포 금지]